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仅仅移动埃米级——即0.1纳米尺度的原子层微小位移，便能引发电阻值千万倍的巨幅变化。中国科学院半导体研究所的科研团队，借助二维范德华异质结的界面设计，成功解决了滑移铁电隧穿结在实现高开关比与高耐久性之间难以平衡的行业挑战。据科研人员透露，未来若能将大规模器件阵列及配套电路完善，此类器件有望实现更快速度和更低功耗的数据存储与运算，适用于手机、电脑等终端硬件，为缓解算力提升与功耗限制之间的矛盾，并推动存算一体新型计算架构的实际应用，提供创新技术路径。相关成果于9月11日发表在《科学》国际学术期刊上。（新华社）